EN

射频能量

峰值功率最大支持1000W CW；主要专注于射频解冻和射频加热，基于高鲁棒性的LDMOS和GaN工艺开发，全国产供应链；封装材料自主开发设计，具有低成本、高可靠性。

  • Min. Freq.（MHz）
    10
    600
  • Max. Freq.（MHz）
    200
    950
  • VDD(V)
    50
    40
  • P1dB
    400
    700
  • DE@Pavg
    72
    68
  • Gain(dB)
    25
    18
  • Status
    MP
    Q4/2022
  • Package
    TO247
    ACC3210S-4L
  • Process
    LDMOS

显示6种产品

下载到表格
产品型号
Min. Freq.（MHz）
Max. Freq.（MHz）
VDD(V)
P1dB
DE@Pavg
Gain(dB)
Status
Package
Process
HT20340S 10200504007225MPTO247LDMOS