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SiC MOSFET

650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装； 采用6''晶圆，成本更优； 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。

  • VBRDSSmax [V]
    1200
    1700
  • RDS (on) Typ.
    80mohm
    40mohm
    1ohm
  • ID  @25°Cmax [A]
    6.9
    35
    55
  • VGS(th)Typ.（V）
    3
  • Package
    TO-247-4L
    TO-247-3L
    TO-263-7L

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产品型号
标题
VBRDSSmax [V]
RDS (on) Typ.
ID  @25°Cmax [A]
VGS(th)Typ.（V）
Package
HMZ080S120A 120080mohm353TO-247-4L
HMW080S120A 120080mohm353TO-247-3L
HMZ040S120A 120040mohm553TO-247-4L
HMW040S120A 120040mohm553TO-247-3L
HMW1KS170A 17001ohm6.93TO-247-3L
HMBF1KS170A 17001ohm6.93TO-263-7L