SiC MOSFET 产品
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装； 采用6''晶圆，成本更优； 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。
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产品型号
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VBRDSSmax [V]
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RDS (on) Typ.
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ID @25°Cmax [A]
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VGS(th)Typ.（V）
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Package
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| HMZ080S120A | 1200 | 80mohm | 35 | 3.0 | TO-247-4L |
| HMW080S120A | 1200 | 80mohm | 35 | 3.0 | TO-247-3L |
| HMZ040S120A | 1200 | 40mohm | 55 | 3.0 | TO-247-4L |
| HMW040S120A | 1200 | 40mohm | 55 | 3.0 | TO-247-3L |
| HMW1KS170A | 1700 | 1ohm | 6.9 | 3.0 | TO-247-3L |
| HMBF1KS170A | 1700 | 1ohm | 6.9 | 3.0 | TO-263-7L |
