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集成Doherty设计，覆盖700M-5GHz应用频率，峰值功率6~12W； 自主28V LDMOS 工艺平台，全国产供应； 产品性能国际领先，已在国内外关键客户大规模量产。

峰值功率20W-1000W； 工作频率10MHz-6GHz；基于自主知识产权的28V，50V ，65V和500V LDMOS和GaN工艺平台开发 全国产供应； 封装材料自主开发设计，具有低成本、高可靠性。

峰值功率最大支持75W CW；主要工作频段频率覆盖VHF和UHF；主要工作电压：3.6V，7.2V和12.5V；基于自主知识产权的LDMOS工艺平台开发，全国产供应链；低成本、高性能的产品方案可应用于对讲机和车船台等终端设备。

峰值功率10W到4000W；工作频率400KHz到2.5GHz；基于自主知识产权的28V，50V ，65V和500V LDMOS工艺平台开发，全国产供应；同时拥有28V和50V GaN器件；封装材料自主开发设计，具有低成本、高可靠性。

峰值功率25dBm，供电5V，覆盖主要的通信频段1800~5000MHz；基于全国产GaAs工艺，自主开发设计，适合于预驱动或者驱动放大器应用。