华太电子功率芯片产品线掌握功率器件和模块的核心设计、工艺及封装技术。华太自主创新的Super IGBT技术，在提高开关速度的同时保持低通态压降，多项技术指标国际领先。

650V，1200V 超级结技术，开关损耗低，芯片薄，工作频率高； 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 标准封装，TO-247-4L 封装开尔文结构效率更优。

650V，1200V，1700V 接近于零的恢复损耗， 可实现高功率密度高效率； 采用MPS结构，具有优良的抗浪涌能力； 采用6''晶圆，交期6-8 周。

650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装； 采用6''晶圆，成本更优； 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。

650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低杂散电感，设计灵 活，用于光伏和工业电 源市场； 三电平,半桥,PIM拓扑； 电流10A-1000A。

650V 750V IGBT 1200V SICMOS 针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品； 单管、半桥和三相桥拓扑；电流300A-900A。