我们非常重视您的个人隐私,当您访问我们的网站时,请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私条款》

国际领先的射频及功率器件企业

苏州华太电子技术股份有限公司(简称:华太),成立于2010年3月16日,是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业,以射频芯片和功率芯片业务为主航道,是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商,聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。

  • 以射频芯片和功率芯片业务为主航道

  • 国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商

  • 聚焦万物互联和数字能源两大应用领域

G1img01.jpg
G1img02.jpg
Rectangle58021.jpg
  • 800+

    员工人数

  • 250+

    研发人员

  • 50%+

    硕博比例

  • 170+

    专利技术

华太的价值观

  • 卓越

    我们驰而不息,不断创新,敢于挑战与超越。

  • 开放

    我们海纳百川,拥抱变化,善于学习与自省。

  • 分享

    我们立己达人,共享互惠,成就客户、合作伙伴与自己。

  • 担当

    我们肩负使命,自我驱动,勇于担当与负责。

发展历程

20
  • 22
  • 21
  • 20
  • 19
  • 18
  • 17
  • 15
  • 14
  • 10
  • 2022

  • 2021

  • 2020

  • 2019

  • 2018

  • 2017

  • 2015

  • 2014

  • 2010

  • 2022
    • 跨越发展

    • 瑶华封测ACS射频大功率产品量产100万颗

    • Super IGBT、SiC MOSFET单管、工业级IGBT/SiC模块实现量产

    • Power IC第一颗芯片实现量产

    • 截止2022年8月,LDMOS芯 片出货量超过1.5亿颗

  • 2021
    • 持续创新

    • 成立北京分公司和深圳分公司

    • LDMOS芯片出货量突破1亿颗

    • 1200V FS IGBT实现量产

    • 650V和1200V SiC SBD实现量产

  • 2020
    • 合并扩产

    • 合并佛山华智新材料有限公司

    • 成立长沙瑶华封测厂

    • 成立SoC芯片研发中心

    • 推出国内首创用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片

  • 2019
    • 追求卓越

    • 成立上海研发中心

    • 基站类RF LDMOS产品累计出货量超过1000万颗

    • 量产国内首个用于移动通信 Massive MIMO宏基站的RF LDMOS射频功率芯片套片方案

  • 2018
    • LDMOS大规模量产

    • 通过ISO9001:2005认证

    • RF LDMOS年出货量超过2000万颗

  • 2017
    • 研发突破

    • 量产国内首创4G LTE基站的射频功率芯片

    • 荣获国家级高新技术企业资质

  • 2015
    • 研发转量产

    • 量产国内首创GSM基站的大功率射频功率芯片

  • 2014
    • 专注LDMOS研发

    • 基于LDMOS的高性能射频功率放大管研发

  • 2010
    • 华太成立

    • 进军RF LDMOS

荣誉奖项

【获奖】华太电子荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”

2022年8月18日,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院等部门主办的2022世界半导体大会隆重举行。华太凭借多年在功率器件技术领域深耕多项技术指标达到国际领先,荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”。

  • G1img05.jpg
  • G1img06.jpg
  • G1img05-858.jpg
  • G1img06-2.jpg