

GaN 分立器件
峰值功率50W到700W; 工作频率最高支持6GHz; 第三代化合物半导体工艺,效率更高、工作带宽宽; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。
产品型号
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Min. Freq.(MHz)
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Max. Freq.
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VDD(V)
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Pavg(dBm)
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DE@Pavg
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Gain(dB)
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ACPR(dBc)
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Test Freq.
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MP Status
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Package
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Process
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