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集成Doherty设计,覆盖700M-5GHz应用频率,峰值功率6~12W; 自主28V LDMOS 工艺平台,全国产供应; 产品性能国际领先,已在国内外关键客户大规模量产。
峰值功率20W到1500W; 工作频率10MHz到4GHz; 基于自主知识产权的28V和50V LDMOS 工艺平台开发,全国产供应; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高可靠性。
峰值功率50W到700W; 工作频率最高支持6GHz; 第三代化合物半导体工艺,效率更高、工作带宽宽; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。
峰值功率最大支持20W; 工作频段频率覆盖10M-10GHz; 基于自主知识产权的5V,12V和28V工艺平台开发,全国产供应; 低成本、高性能的产品方案可应用于基站驱动、对讲机功放等终端设备。
650V,1200V 超级结技术,开关损耗低,芯片薄,工作频率高; 混封半/全电流SiC SBD,更高开关频率和效率; TO-247-3或TO-247P-3 标准封装,TO-247-4L 封装开尔文
650V,1200V,1700V 接近于零的恢复损耗, 可实现高功率密度高效率; 采用MPS结构,具有优良的抗浪涌能力; 采用6''晶圆,交期6-8 周。
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装; 采用6''晶圆,成本更优; 适合于新能源汽车,充电桩,储能DC/DC等应用。
650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低杂散电感,设计灵 活,用于光伏和工业电 源市场; 三电平,半桥,PIM拓扑; 电流10A-1000A。
650V 750V IGBT 1200V SICMOS 针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品; 单管、半桥和三相桥拓扑;电流300A-900A。
提供射频核心器件,拥有国际领先的LDMOS 自主工艺和MMIC设计团队,帮助客户快速完成系统开发。
提供可靠高效优质的下一代功率半导体,缩短开发时间,同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗,推动低碳发展。
提供高质量工业级半导体产品,令自动化设计尽可能简单、高效、可靠。推进新一代工厂和楼宇自动化、能源、医疗保健和运输系统。
针对关键的汽车电子系统,提供创新的汽车级半导体解决方案。华太已全面布局车规功率,车载芯片能力建设并陆续进入汽车尤其新能源汽车供应体系。
华太自主创新的LDMOS可实现低成本、高性能WiFi射频功放产品,助力大功率WiFi路由器实现突破。
基于LDMOS工艺,实现了高功率,高鲁棒性。华太2010年开始研究LDMOS工艺,同时引入全球顶尖芯片设计团队,实现了高功率、高可靠性射频解决方案。