EN

H3L150R07W2

产品描述

650V 150A NPCI 3-LEVEL IGBT Power Transistor Module

2.jpg

优势介绍

  • Low switching losses

  • Low VCE(sat) losses

  • Low stray inductance design

  • Maximum junction temperature 175℃

  • RoHS compliant

相关资料下载

28V LDMOS MMIC

公司名称*

联系人*

职位*

联系方式*

E-mail*

留言内容*

我已阅读并同意《华太电子个人隐私保护条款》

提交