产品描述
HAD0230 是一款集成解决方案，将 N-通道功率 MOSFET、低压振荡器、电荷泵和低功耗电压感知单元集成在 TO-263 封装中。它与传统的D2PAK封装肖特基二极管兼容，和传统二极管相比,它提供了低正向电压、低功耗、极小的漏电流和高反向电压等优点。
优势介绍
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最大反向电压（VR）为100V
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正向电压（VF）在20A正向电流（IF）下为92mV
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在IF=20A和125°C环境温度（TA）下连续工作时，功耗低于2W
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在VR=100V时的低反向泄漏电流为0.2µA
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当源极到漏极电压(VSD)为-20mV时的低反向闩锁响应时间为3.5µs
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ESD等级为4kV（HBM）和750V（CDM）
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工作环境温度范围（TA）为-40℃至125℃
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零静态功耗（IQ到GND）
