HTN7G21S160H

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产品描述

LDMOS 射频功率晶体管


HTN7G21P160H-73.jpg

优势介绍

  • 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管

  • 为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限

  • 提供 VBW 改善外接引脚

  • 为适应预失真系统的优化设计

  • 方便功放设计的内匹配设计

  • 增强鲁棒性设计

  • 优异的热稳定性

  • 符合 RoHS 规范

28V LDMOS MMIC

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