HTN7G21S160H
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产品描述
LDMOS 射频功率晶体管
优势介绍
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为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管
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为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限
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提供 VBW 改善外接引脚
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为适应预失真系统的优化设计
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方便功放设计的内匹配设计
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增强鲁棒性设计
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优异的热稳定性
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符合 RoHS 规范
