我们非常重视您的个人隐私,当您访问我们的网站时,请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私条款》

HTH1D36P450H

  • 资料下载

产品描述

GaN 射频功率晶体管

GAN1.jpg

优势介绍

  • 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管

  • 方便功放设计的内匹配设计

  • 符合RoHS规范

28V LDMOS MMIC

公司名称*

联系人*

职位*

联系方式*

E-mail*

留言内容*

提交