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HMW1KS170A

产品描述

华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用

优势介绍

  • Ultra-low switching losses

  • Ultra-low static losses

  • Maximum junction temperature 175℃

  • RoHS compliant

28V LDMOS MMIC

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