HMW1KS170A
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产品描述
华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性，目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用
优势介绍
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Ultra-low switching losses
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Ultra-low static losses
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Maximum junction temperature 175℃
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RoHS compliant
