GaN 分立器件
峰值功率50W到700W; 工作频率最高支持6GHz; 第三代化合物半导体工艺,效率更高、工作带宽宽; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。
产品型号
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Min. Freq.(MHz)
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Max. Freq.
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VDD(V)
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Pavg(dBm)
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DE@Pavg
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Gain(dB)
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ACPR(dBc)
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Test Freq.
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MP Status
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Package
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Process
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HTH1D36P450H | 3400 | 3600 | 48 | 47.4 | 48.7 | 14.5 | -27 | 3500 | MP | ACC2110S-4L | GaN |
HTH1D09P700S | 758 | 960 | 48 | 50.5 | 65 | 18.2 | -26 | 780 | Q3/2022 | ACS2110S-4L | GaN |
HTH1D27P550S | 2500 | 2700 | 48 | 41.8 | 60 | 16 | -28 | 2600 | QFN7x6.5 | GaN | |
HTH1D22P700S | 1805 | 2170 | 48 | 50.5 | 58.5 | 15.5 | -25 | 2140 | ACC2110S-4L | GaN | |
HTH1D38S010P | 2300 | 4000 | 48 | 39 | 52 | 14 | -29 | 3300 | DFN4x4 | GaN | |
HTH1D38P060P | 3300 | 4000 | 48 | 39 | 52 | 14 | -29 | 3600 | DHN7x6.5 | GaN |