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GaN 分立器件

峰值功率50W到700W; 工作频率最高支持6GHz; 第三代化合物半导体工艺,效率更高、工作带宽宽; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高气密性、高热导率、高良率。

  • Min. Freq.(MHz)
    3400
    2500
    758
    2110
    2500
  • Max. Freq.
    3600
    2700
    960
    2170
  • VDD(V)
    48
  • Pavg(dBm)
    47.4
    50.5
    41.8
  • DE@Pavg
    48.7
    52
    65
    57
    57.5
  • Gain(dB)
    14.5
    18.2
    15.5
    16
  • ACPR(dBc)
    -27
    -26
    -25
    -31
  • Test Freq.
    3500
    2600
    780
    2140
    2600
  • MP Status
    MP
    Q2/2022
    Q3/2022
  • Package
    ACC2110S-4L
    ACS2110S-4L
    QFN7*6.5
  • Process
    GaN

显示6种产品

产品型号
Min. Freq.(MHz)
Max. Freq.
VDD(V)
Pavg(dBm)
DE@Pavg
Gain(dB)
ACPR(dBc)
Test Freq.
MP Status
Package
Process
HTH1D36P450H 340036004847.448.714.5-273500MPACC2110S-4LGaN
HTH1D09P700S 7589604850.56518.2-26780Q3/2022ACS2110S-4LGaN
HTH1D27P550S 250027004841.86016-282600QFN7x6.5GaN
HTH1D22P700S 180521704850.558.515.5-252140ACC2110S-4LGaN
HTH1D38S010P 2300400048395214-293300DFN4x4GaN
HTH1D38P060P 3300400048395214-293600DHN7x6.5GaN