SiC MOSFET 产品
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装; 采用6''晶圆,成本更优; 适合于新能源汽车,充电桩,储能DC/DC等应用。
产品型号
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VBRDSSmax [V]
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RDS (on) Typ.
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ID @25°Cmax [A]
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VGS(th)Typ.(V)
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Package
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