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昆山华太基于自有的RF LDMOS芯片技术,推出了150W功率等级的射频功率芯片HTH7G14S150H,射频功率晶体管可应用于1.8-1400 MHz 频率范围内各类通信、广播以及ISM应用.


测试条件:50V漏极电压,300mA静态电流,100us脉宽,10%占空比信号, 基于华太PA测试板.

表1. 典型射频性能

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